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NeoFuse—力旺電子之全新反熔絲架構(gòu)嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)

　　力旺電子日前宣布，正式推出全新反熔絲架構(gòu)之嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)NeoFuse，此技術(shù)瞄準先進工藝平臺，具備硅智財組件尺寸小與保存能力佳等特點，可滿足客戶產(chǎn)品在先進工藝產(chǎn)品之進階需求。目前NeoFuse技術(shù)已在多家國際級晶圓代工廠之65奈米、55奈米、40奈米與28奈米等低功耗與高壓先進工藝通過組件技術(shù)驗證，預(yù)計將于今年Q3通過可靠性驗證并在Q4進入量產(chǎn)。延續(xù)在NeoBit技術(shù)開發(fā)的成功經(jīng)驗，NeoFuse技術(shù)的推出意味著力旺電子已將其單次可程序嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)的布局版圖從成熟工藝進一步推展至先進工藝。 NeoFuse為全新反熔絲(antifuse)架構(gòu)之單次可程序嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)，利用編程過程中的阻抗改變(impedancechange)實現(xiàn)數(shù)據(jù)儲存功能，并藉由外圍電路的巧妙設(shè)計使NeoFuse IP具備低功耗、高可靠度與安全保密等特色。NeoFuse技術(shù)的特殊組件架構(gòu)有效地降低工藝變異的影響，使得各內(nèi)存位的一致性大幅提高。相較于代工廠所提供的傳統(tǒng)eFuse，NeoFuse技術(shù)提供更小的組件與硅智財線路尺寸，無需以大電流熔燒，且在數(shù)據(jù)寫入后不會留下熔燒的痕跡，此外耐高溫及資料留存能力高，故特別適合面積小、高儲存容量之應(yīng)用，如機頂盒(STB)、數(shù)字電視(DTV)與影像感測芯片(CIS ICs)等應(yīng)用領(lǐng)域。 力旺電子之NeoFuse技術(shù)與標準CMOS制程完全兼容，無需加額外光罩，不會受限于傳統(tǒng)eFuse不易轉(zhuǎn)廠的限制，可協(xié)助客戶大幅減少制造成本。無論是提供程序代碼儲存(code storage)、加解密碼儲存(encryption code)、身份識別(Identification)或是電路調(diào)校(analog trimming)等，NeoFuse所提供的多樣化解決方案，完全符合客戶在芯片設(shè)計應(yīng)用上的多元化需求。而針對相同編程內(nèi)容且需大量出貨的產(chǎn)品應(yīng)用，亦延續(xù)了建置在NeoBit平臺上的NeoROM方案，提供給客戶自NeoFuse轉(zhuǎn)成ROM的彈性空間。 力旺電子持續(xù)投入創(chuàng)新研發(fā)能量，積極布局嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)版圖，目前已有NeoBit、NeoFlash、NeoEE、NeoMTP與NeoFuse等涵蓋單次可程序與多次可程序之產(chǎn)品線，從成熟量產(chǎn)的工藝到先進工藝均具備最適合的解決方案，將能為客戶提供更完整且全方位的硅智財導(dǎo)入服務(wù)。