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MEMS G-Sensor 失效分析標(biāo)準(zhǔn)流程出臺(tái)

　　在先端科技的蓬勃發(fā)展下，MEMS組件已成為智能產(chǎn)品的主要核心。為降低企業(yè)投入MEMS開(kāi)發(fā)時(shí)，因故有分析技術(shù)難以找出MEMS真正失效原因，iST集團(tuán)-臺(tái)灣宜特近日宣布，成功建構(gòu)出MEMS G-Sensor的標(biāo)準(zhǔn)失效分析流程。此流程亦被許多公司實(shí)際采用，目前全臺(tái)開(kāi)發(fā)MEMS G-sensor的公司中，約達(dá)九成在iST宜特幫助下解決失效問(wèn)題。
　　iST獨(dú)家研發(fā)的MEMS G-Sensor失效分析標(biāo)準(zhǔn)流程，更正式通過(guò)全球最具代表性，電子組件檢測(cè)失效分析技術(shù)研討會(huì)－ISTFA的認(rèn)可，成為全臺(tái)第一家且是唯一一家擁有MEMS研究團(tuán)隊(duì)的實(shí)驗(yàn)室。
　　iST觀察發(fā)現(xiàn)，許多公司欲了解MEMS組件的失效狀況時(shí)，由于對(duì)其結(jié)構(gòu)的認(rèn)知度、掌握度不夠，因此以傳統(tǒng)方式做開(kāi)蓋(De-cap)觀察，容易造成組件污染。此外，iST進(jìn)一步指出，因組件為懸浮結(jié)構(gòu)，以外力移除時(shí)易產(chǎn)生毀損。雙方影響下，容易造成組件污染和應(yīng)力破壞，不但沒(méi)有找出真因，反而制造更多失效盲點(diǎn)。
　　為克服此問(wèn)題，iST今年已成功開(kāi)發(fā)出MEMS無(wú)污染的De-cap技術(shù)，結(jié)合無(wú)應(yīng)力的組件移除技術(shù)，以非破壞方式保留結(jié)構(gòu)原貌，避開(kāi)機(jī)械應(yīng)力和污染產(chǎn)生的非真因失效。目前已幫助三十多家MEMS設(shè)計(jì)、制造與封裝企業(yè)，對(duì)癥下藥地找出失效點(diǎn)并成功改善，搶攻市場(chǎng)先機(jī)。iST集團(tuán)營(yíng)運(yùn)長(zhǎng) 林正德指出，2007年預(yù)見(jiàn)此市場(chǎng)需求后即投入研發(fā)，全面布局MEMS等新興產(chǎn)品失效分析技術(shù)。這幾年在大量實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)深耕下，更于今年建立出MEMS標(biāo)準(zhǔn)失效分析流程。